TR5.3.1-01-2018 Para pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas, modelo de dispositivo cargado por contacto (CCDM) versus CDM inducido en campo (FICDM), un estudio de caso
Este informe técnico (TR) explica los problemas asociados con los métodos de prueba actuales del modelo de dispositivo cargado inducido en campo (FICDM) y describe las ventajas y desventajas del nuevo método de prueba del modelo de dispositivo cargado por contacto (CCDM) de 50 ohmios. Además @ también discutirá las diferencias entre los eventos del modelo de dispositivo cargado (CDM) del mundo real @ simulaciones CDM del probador @ y los circuitos equivalentes detrás de cada uno de estos eventos. Finalmente @ discutirá el trabajo de correlación que se ha realizado para determinar si este nuevo método proporciona los mismos resultados que el actual método de prueba FICDM y qué trabajo adicional queda por hacer. El presente método de prueba FICDM intenta replicar eventos CDM que pueden ocurrir durante el proceso de fabricación@manipulación y prueba@del dispositivo para verificar que la protección ESD en el chip pueda proteger adecuadamente contra este tipo de amenaza. Sin embargo@ al intentar reproducir un ??mundo real?? evento utilizando una descarga de aire @ (modo de descarga FICDM) @ se han medido errores de repetibilidad y reproducibilidad en los probadores de calificación FICDM que pueden exceder la tolerancia de medición especificada del 20% [4]. El alcance y propósito de ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 [2] se incluyen a continuación como referencia.