T/CASAS 005-2022
Método de prueba de resistencia dinámica para transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de GaN en circuitos de conmutación dura (Versión en inglés)

Estándar No.: T/CASAS 005-2022
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 2022
Organización: Group Standards of the People's Republic of China
Ultima versión: T/CASAS 005-2022

Alcance: Este documento especifica un método de prueba para la resistencia dinámica de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de nitruro de galio (GaN) utilizados en circuitos de conmutación con conmutación física. Este documento es adecuado para escenarios de trabajo como investigación y desarrollo de producción, caracterización, pruebas de producción en masa, evaluación de confiabilidad y evaluación de aplicaciones de GaN HEMT. Se puede aplicar a los siguientes dispositivos: a) dispositivos electrónicos de potencia discreta en modo de mejora y modo de agotamiento de GaN; b) circuitos de potencia integrados de GaN; c) productos por encima del nivel de oblea y del nivel de embalaje;

T/CASAS 005-2022 Historia

2022 T/CASAS 005-2022 Método de prueba de resistencia dinámica para transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de GaN en circuitos de conmutación dura

Temas especiales sobre estándares y normas

movilidad resistividad Resistividad y Movilidad

estándares y especificaciones

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