T/IAWBS 020-2024
Método de prueba para defectos de nivel profundo de capas epitaxiales de carburo de silicio: método de capacitancia transitoria (Versión en inglés)

Estándar No.
T/IAWBS 020-2024
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2024
Organización
Group Standards of the People's Republic of China
Ultima versión
T/IAWBS 020-2024
 
Alcance
Este documento especifica un método para medir defectos de nivel profundo en materiales epitaxiales de carburo de silicio (SiC) utilizando espectroscopía transitoria de nivel profundo en tecnología de capacitancia transitoria. Este documento es adecuado para medir los niveles de energía profundos producidos por impurezas y defectos en la capa de material epitaxial de carburo de silicio en la banda prohibida del semiconductor. Este método puede obtener parámetros como la energía de activación, la concentración y la captura de la sección transversal de niveles de energía profundos.

T/IAWBS 020-2024 Historia

  • 2024 T/IAWBS 020-2024 Método de prueba para defectos de nivel profundo de capas epitaxiales de carburo de silicio: método de capacitancia transitoria

Temas especiales sobre estándares y normas

defectos de carbono transitorio capacitivo defectos de carburo de silicio

estándares y especificaciones

DIN 50446:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores: determinación de tipos de defectos y densidades de defectos de capas epitaxiales de silicio BS IEC 63068-1:2019 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia IEC 63068-2:2019 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia ASTM F978-90(1996)e1 Método de prueba estándar para caracterizar niveles profundos de semiconductores mediante técnicas de capacitancia transitoria ASTM F978-02 Método de prueba de tecnología de capacitancia transitoria para caracterización de nivel profundo de semiconductores BS IEC 63068-3:2020 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia ASTM F1388-92(2000 Método de prueba estándar para determinar la vida útil y la velocidad de generación de material de silicio mediante mediciones de capacitancia-tiempo ASTM F80-94 Método de prueba estándar para evaluar la perfección cristalina de depósitos epitaxiales de silicio mediante técnicas de grabado ASTM F419-94 Método de prueba estándar para la determinación de la densidad de portadores en capas epitaxiales de silicio mediante el método de capacitancia-voltaje ASTM F1153-92(1997 Método de prueba estándar para la caracterización de estructuras de metal-óxido-silicio (MOS) mediante mediciones de capacitancia-voltaje


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