T/IAWBS 020-2024 Método de prueba para defectos de nivel profundo de capas epitaxiales de carburo de silicio: método de capacitancia transitoria (Versión en inglés)
Este documento especifica un método para medir defectos de nivel profundo en materiales epitaxiales de carburo de silicio (SiC) utilizando espectroscopía transitoria de nivel profundo en tecnología de capacitancia transitoria. Este documento es adecuado para medir los niveles de energía profundos producidos por impurezas y defectos en la capa de material epitaxial de carburo de silicio en la banda prohibida del semiconductor. Este método puede obtener parámetros como la energía de activación, la concentración y la captura de la sección transversal de niveles de energía profundos.
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2024T/IAWBS 020-2024 Método de prueba para defectos de nivel profundo de capas epitaxiales de carburo de silicio: método de capacitancia transitoria