TR5.4-03-2011 Prueba de sensibilidad de descarga electrostática Prueba de sensibilidad de enganche de circuitos integrados CMOS/BiCMOS Prueba de enganche transitorio: estimulación transitoria de suministro de nivel de componente
Este informe técnico describe un procedimiento para medir la sensibilidad de enganche de circuitos integrados a transitorios en líneas de suministro de energía. Los circuitos en los que se puede aplicar este método de prueba incluyen dispositivos CMOS (Semiconductor complementario de óxido metálico) @ Bipolar @ y BiCMOS (Bipolar-CMOS) que generalmente requieren menos de 30 voltios para funcionar. La gama de circuitos integrados en los que se ha demostrado que este procedimiento es útil es limitada. Propósito La información y los procedimientos definidos en este informe técnico pueden usarse para buscar diseños sensibles al enganche dentro de circuitos integrados. Los niveles de estrés y los valores de los parámetros de estímulo definidos se pueden utilizar para una amplia gama de dispositivos. Los niveles y valores se pueden aumentar o reducir para adaptarse a los requisitos del dispositivo real que se está probando y los tipos de estímulos transitorios que se utilizan.