JEDEC JESD33B-2004
Método estándar para medir y utilizar el coeficiente de temperatura de resistencia para determinar la temperatura de una línea de metalización

Estándar No.
JEDEC JESD33B-2004
Fecha de publicación
2004
Organización
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association
Alcance
Este método está destinado a determinar el coeficiente de resistencia a la temperatura (a una temperatura determinada) de metalizaciones de película delgada a base de aluminio y cobre que se utilizan en circuitos y dispositivos microelectrónicos. Este método está destinado a estimar la temperatura media de una línea de metalización sometida a una prueba de tensión de electromigración acelerada antes de que se produzca cualquier cambio irreversible en la resistividad debido a las tensiones de densidad de corriente y temperatura impuestas. Este método está destinado a utilizar una línea de prueba de metalización como sensor de temperatura ambiente. Utiliza los valores predeterminados para el coeficiente de temperatura de resistencia de la metalización y la resistencia de la línea de prueba a una temperatura de referencia. Este método está diseñado para usarse en condiciones donde la resistividad de la metalización depende linealmente de la temperatura y donde no sufre cambios irreversibles. Para las metalizaciones de aluminio, una dependencia lineal parece mantenerse hasta aproximadamente 420 ºC, considerablemente por encima de las temperaturas de tensión previstas. Para las metalizaciones de cobre, una desviación de una dependencia lineal se hace evidente a temperaturas tan bajas como 200 °C. Se utiliza una función de corrección para el cobre para corregir las desviaciones de la linealidad a estas temperaturas más altas. Este método es aplicable a líneas de prueba de metalización con o sin vías y con óxido o dieléctricos de bajo k. Si bien el método está diseñado para usarse con metalizaciones a base de aluminio y cobre, también puede usarse con otros metales y aleaciones para condiciones que satisfagan las estipulaciones de dependencia lineal y estabilidad de los párrafos anteriores. La estructura de metalización utilizada en el método se puede medir sobre una oblea o una parte de la misma, o como parte de un chip de prueba unido a un paquete y accesible eléctricamente a través de terminales del paquete.



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