JEDEC JESD35-1-1995 Directrices generales para el diseño de estructuras de prueba para pruebas a nivel de oblea de dieléctricos delgados Anexo n.° 1 de JESD35
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association
Alcance
El JESD35 describe pruebas de rampa de voltaje y corriente para caracterizar la integridad de dieléctricos delgados en microelectrónica MOS. Dos parámetros, el campo eléctrico de ruptura y la densidad de carga a la ruptura, generalmente se extraen de los resultados de las pruebas y se utilizan como medida de la calidad dieléctrica. La validez y precisión de estos parámetros dependen del diseño de la estructura delgada de prueba de óxido, la precisión del equipo de prueba y las condiciones ambientales. Por lo tanto, es importante comprender las diversas fuentes de error que pueden generar los factores anteriores.