(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association
Alcance
La delgada integridad dieléctrica de los dispositivos y circuitos MOS es un problema importante de confiabilidad. Históricamente, la confiabilidad del óxido fino ha sido impulsada por defectos de óxido. En general, la vida útil intrínseca del óxido es mucho más larga que los requisitos de uso, pero los defectos pueden reducir significativamente la vida útil del óxido. Los procedimientos descritos en este documento se desarrollaron para estimar la integridad de un óxido fino y como herramienta para impulsar una mejora constante en el proceso de óxido fino.