JEDEC JEP133B-2005
Guía para la Producción y Adquisición de Módulos Multichip y Microcircuitos Híbridos con Garantía de Dureza Radiación

Estándar No.
JEDEC JEP133B-2005
Fecha de publicación
2005
Organización
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association
Estado
 
Alcance
El desarrollo de módulos multichip resistentes a la radiación y microcircuitos híbridos puede realizarse de tres maneras

estándares y especificaciones

JEDEC JEP133C-2010 Guía para la producción y adquisición de módulos multichip y microcircuitos híbridos con resistencia a la radiación asegurada DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 MICROCIRCUITO MATRIZ, MEMORIA, DIGITAL, CMOS, 4M X 1 MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO DINÁMICO (DRAM), SILICIO MONOLÍTICO DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, PUERTA NAND QUAD DE 2 ENTRADAS, ENTRADAS COMPATIBLES CON TTL, SILICIO MONOLÍTICO DLA SMD-5962-97639 REV A-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO ENDURECIDO POR RADIACIÓN, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR DOBLE DE 2 A 4 LÍNEAS, SILICIO MONOLÍTICO DLA SMD-5962-98007 REV A-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO CONTRA LA RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, MULTIPLEXOR DOBLE DE 4 ENTRADAS CON SALIDAS NO INVERSAS DE TRES ESTADOS, SILICIO DLA SMD-5962-98535 REV A-1998 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO REFORZADO POR RADIACIÓN, DECODIFICADOR/DEMULTIPLEXOR DE 3 A 8 LÍNEAS, ENTRADAS COMPATIBLES TTL, SILICIO MONOLÍTICO DLA SMD-5962-98536 REV A-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, CMOS AVANZADO REFORZADO POR RADIACIÓN, MULTIPLEXOR CUÁDRUPLE DE 2 ENTRADAS, CON SALIDAS NO INVERSAS, SILICIO MONOLÍTICO DLA SMD-5962-98601 REV A-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, QUAD 2 ENTRADAS NOR GATE, SILICIO MONOLÍTICO DLA SMD-5962-98602 REV A-1999 MICROCIRCUITO, DIGITAL, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CMOS AVANZADO, INVERSOR HEXAGONAL CON DRENAJE ABIERTO, SILICIO MONOLÍTICO


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