DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7509, 2N7510 Y 2N7511, JANTXVD, R Y JANSD, R

Estándar No.

DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008

Fecha de publicación

2008

Organización

Defense Logistics Agency

Estado