DLA MIL-PRF-19500/683 C (1)-2009
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G, Y H Y JANSR, F, G, Y H

Estándar No.

DLA MIL-PRF-19500/683 C (1)-2009

Fecha de publicación

2009

Organización

Defense Logistics Agency

Estado