DLA MIL-PRF-19500/744 A-2010
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7616UB, 2N7616UBC, 2N7616UBN, 2N7616UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF