DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7475T1, 2N7476T1 Y 2N7477T1 (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), JANTXVR Y JANSR

Estándar No.

DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010

Fecha de publicación

2010

Organización

Defense Logistics Agency

Estado