DLA MIL-PRF-19500/752-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPO 2N7608T2, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF
Este estándar establece especificaciones técnicas para ciertos tipos de dispositivos semiconductores, específicamente transistores de efecto de campo de canal N. Estos dispositivos están diseñados para resistir efectos de radiación, incluyendo la exposición a dosis totales y efectos de eventos únicos. El estándar abarca características eléctricas, condiciones de operación y requisitos de prueba. Se enfoca en la fabricación y el rendimiento de componentes de silicio de nivel lógico, utilizados en aplicaciones donde la exposición a radiación puede ser un factor crítico. La norma también incluye referencias a ciertos modelos y variantes de los dispositivos mencionados.
*** Tenga en cuenta: esta descripción puede no ser precisa; consulte la documentación oficial.