DLA MIL-PRF-19500/745 C-2011
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, CANAL P, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE NIVEL LÓGICO, TIPOS 2N7626UB, 2N7626UBC, 2N7626UBN, 2N7626UBCN, JANTXVR, JANTXVF, JANSR Y JANSF