DLA MIL-PRF-19500/630 F-2012
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN, CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7389, 2N7390, 2N7389U, 2N7389U5 Y 2N7390U, 2N7390U5, JANTXV, R, Y F Y JANS, R, Y F

Estándar No.

DLA MIL-PRF-19500/630 F-2012

Fecha de publicación

2012

Organización

Defense Logistics Agency