DLA MIL-PRF-19500/614 G-2012
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL N, SILICIO, TIPOS 2N7380 Y 2N7381, JANTXV, M, D, R, F, G, Y H Y JANS, M, D, R , F, G y H

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DLA MIL-PRF-19500/614 G-2012

Fecha de publicación

2012

Organización

Defense Logistics Agency

Estado