LST EN 62047-12-2011
Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 12: Método de ensayo de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS (IEC 62047-12:2011).

Estándar No.
LST EN 62047-12-2011
Fecha de publicación
2011
Organización
Lithuanian Standards Office
Ultima versión
LST EN 62047-12-2011
 

Introducción
Este documento establece métodos de prueba para evaluar la fatiga por flexión de materiales delgados utilizados en dispositivos microelectrónicos, enfocándose en la resonancia de estructuras MEMS. Describe procedimientos detallados para la caracterización de las propiedades mecánicas de estos materiales bajo condiciones específicas de carga y frecuencia. Incluye instrucciones sobre la preparación de muestras, los equipos necesarios, los parámetros de prueba y la forma de registrar y analizar los resultados obtenidos. El objetivo principal es proporcionar una metodología estandarizada que permita comparar de manera consistente las características de los materiales utilizados en aplicaciones relacionadas con dispositivos microelectrónicos. Este enfoque contribuye a garantizar la calidad y la fiabilidad de los componentes fabricados con estos materiales.

LST EN 62047-12-2011 Historia

  • 2011 LST EN 62047-12-2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 12: Método de ensayo de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS (IEC 62047-12:2011).

estándares y especificaciones

BS IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial DIN EN 62047-29 E:2016-08 Dispositivos semiconductores. Componentes de sistemas microelectromecánicos. Parte 29: Método de ensayo para la relajación electromagnética de películas BS IEC 62047-36:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: métodos de prueba de resistencia ambiental y dieléctrica para películas delgadas IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 31: Método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión IEC 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada DS/EN 62047-12:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada GSO IEC 62047-12:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada DIN EN 62047-17 E:2011-06 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 17: Método de prueba de abombamiento para medir las propiedades mecánicas de películas UNE-EN 62047-22:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 22: Método de ensayo de tracción electromecánico para películas delgadas conductoras



© 2025 Reservados todos los derechos.