DLA MIL-PRF-19500/675 E-2013
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7463T2, 2N7464T2, 2N7463U5 Y 2N7464U5 JANTXVR Y JANSR