DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, CANAL P ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO, SILICIO, TIPOS 2N7422, 2N7422U, 2N7423 Y 2N7423U, JANTXVR Y F Y JANSR Y F

Estándar No.

DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013

Fecha de publicación

2013

Organización

Defense Logistics Agency

Estado