CNS 8383-1982
Medición de transitorios directos en diodos semiconductores (Versión en inglés)

Estándar No.: CNS 8383-1982
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 1982
Organización: Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China
Ultima versión: CNS 8383-1982

Alcance: Esta norma es aplicable a la medición instantánea directa de diodos.

CNS 8383-1982 Historia

1982 CNS 8383-1982 Medición de transitorios directos en diodos semiconductores

estándares y especificaciones

IEEE C62.42.3-2017 Guía para la aplicación de componentes de protección contra sobretensiones en dispositivos y puertos de equipos de protección contra sobretensiones. Parte 3 IEEE Std C62.42.3-2017 Guía IEEE para la aplicación de componentes de protección contra sobretensiones en puertos de equipos y dispositivos de protección contra sobretensiones - Parte IEEE PC62.42.3/D2, October 2016 Borrador de guía aprobado por IEEE para la aplicación de componentes de protección contra sobretensiones en dispositivos y puertos de equipos de protección IEEE PC62.42.3/D3, December 2016 Borrador de guía aprobado por IEEE para la aplicación de componentes de protección contra sobretensiones en dispositivos y puertos de equipos de protección GOST 18986.9-1973 Diodos semiconductores. Método para medir la tensión continua del pulso y el tiempo de recuperación directa IEEE No 256-1963 Procedimiento de prueba IEEE para diodos semiconductores JIS C 7031:1993 Métodos de medición para diodos de señal pequeños ANSI/IEEE C62.35:2010 Métodos de prueba estándar para componentes de dispositivos semiconductores de protección contra sobretensiones de unión de avalancha SJ 20788-2000 Método de medición de la impedancia térmica de diodos semiconductores

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