YD/T 731-1994
Rectificador de conmutación de alta frecuencia para comunicación. (Versión en inglés)
- Estándar No.
- YD/T 731-1994
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1994
- Organización
- Professional Standard - Post and Telecommunication
- Estado
- 2018-07
- Remplazado por
- YD/T 731-2002
- YD/T 731-2018
- Ultima versión
- YD/T 731-2018
YD/T 731-1994 Historia
- 2018 YD/T 731-2018 Rectificador de 48V para comunicación.
- 2008 YD/T 731-2008 Rectificador de modo conmutado de alta frecuencia para telecomunicaciones
- 2002 YD/T 731-2002 Rectificador de modo conmutado de alta frecuencia para telecomunicaciones
- 1994 YD/T 731-1994 Rectificador de conmutación de alta frecuencia para comunicación.
estándares y especificaciones
MIL MIL-PRF-19500/735A-2009 Diodo, silicio, Schottky, doble, derivación central, tipo 1N7041CCU1 y diodo único tipo 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
MIL MIL-PRF-19500/735B-2015 Diodo, silicio, Schottky, doble, derivación central, tipo 1N7041CCU1 y diodo único tipo 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
MIL MIL-PRF-19500/679C-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, RECTIFICADOR DE POTENCIA SCHOTTKY, MONTADO EN SUPERFICIE, TIPO 1N6844U3, JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
MIL MIL-PRF-19500/735C-2020 Diodo, silicio, Schottky, doble, derivación central, tipo 1N7041CCU1 y diodo único tipo 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
GSO IEC 60747-3:2014 Dispositivos semiconductores - Parte 3: Dispositivos discretos: diodos de señal, conmutación y reguladores
IEC 60747-3:2013 Dispositivos semiconductores - Parte 3: Dispositivos discretos: diodos de señal, conmutación y reguladores
IEC 60747-7:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares
BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos - Transistores bipolares
IEC 60747-7:2000 Dispositivos semiconductores - Parte 7: Transistores bipolares
GSO IEC 60747-7:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares