SJ 2375-1983
Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD267 y 3CD467 (Versión en inglés)
Inicio
SJ 2375-1983
Estándar No.
SJ 2375-1983
Idiomas
Chino,
Disponible en inglés
Fecha de publicación
1983
Organización
Professional Standard - Electron
Estado
Retirar
2010-02
Ultima versión
SJ 2375-1983
SJ 2375-1983 Historia
1983
SJ 2375-1983
Especificación detallada para transistores de silicio PNP de baja frecuencia, alto voltaje y alta potencia, tipo 3CD267 y 3CD467
© 2023 Reservados todos los derechos.