SJ 1989-1981
Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS19 (Versión en inglés)
- Estándar No.
- SJ 1989-1981
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1982
- Organización
- Professional Standard - Electron
- Estado
- 2010-02
- Ultima versión
- SJ 1989-1981
SJ 1989-1981 Historia
- 1982 SJ 1989-1981 Especificación detallada para transistores de efecto de campo de par de unión de canal N, tipo CS19
estándares y especificaciones
MIL MIL-PRF-19500/375H-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, efecto de campo, canal N, modo de agotamiento, silicio, tipos 2N3821, 2N3821UB, 2N3822, 2N3822UB, 2N3823 y 2N3823UB, JAN
MIL MIL-PRF-19500/375J-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, efecto de campo, canal N, modo de agotamiento, silicio, tipos 2N3821, 2N3821UB, 2N3822, 2N3822UB, 2N3823 y 2N3823UB, JAN
MIL MIL-PRF-19500/428H-2011 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, silicio de canal N, tipo 2N4416A y 2N4416AUB, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
MIL MIL-PRF-19500/430C-2011 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo dual, canal N, tipos de silicio 2N5545, 2N5546 y 2N5547, JAN, JANTX y JANTXV
MIL MIL-PRF-19500/431E-2011 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal N, silicio, tipos 2N4091, 2N4092, 2N4093, 2N4091UB, 2N4092UB y 2N4093UB JAN, JANTX y JANTXV
MIL MIL-PRF-19500/385H-2009 Transistores, efecto de campo de unión, canal N, silicio, tipos de dispositivos 2N4856 a 2N4861, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
MIL MIL-PRF-19500/385J-2015 Transistores, efecto de campo de unión, canal N, silicio, tipos de dispositivos 2N4856 a 2N4861, JAN, JANTX, JANTXV y JANS
MIL MIL-PRF-19500/375K-2017 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, MODO DE AGOTACIÓN, SILICIO, TIPOS 2N3821, 2N3821UB, 2N3822, 2N3822UB, 2N3823 Y 2N3823UB, JAN
MIL MIL-PRF-19500/296F-2012 Dispositivo semiconductor, transistores de efecto de campo, canal P, silicio, tipo 2N2609, JAN y UB