SJ 1827-1981
Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK6 (Versión en inglés)
Inicio
SJ 1827-1981
Estándar No.
SJ 1827-1981
Idiomas
Chino,
Disponible en inglés
Fecha de publicación
1982
Organización
Professional Standard - Electron
Estado
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2010-02
Ultima versión
SJ 1827-1981
SJ 1827-1981 Historia
1982
SJ 1827-1981
Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK6
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