SJ 1833-1981
Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK103 (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 1833-1981

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1982

Organización

Professional Standard - Electron

Estado

 2016-09

Remplazado por

SJ/T 1833-2016

Ultima versión

SJ/T 1833-2016

SJ 1833-1981 Historia

• 2016 SJ/T 1833-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3DK103 tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio especificación detallada
• 1982 SJ 1833-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK103

SJ 1833-1981 Especificación detallada para transistores de conmutación planos epitaxiales de baja potencia NPN de silicio, tipo 3DK103 ha sido cambiado a SJ/T 1833-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3DK103 tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio especificación detallada.