SJ 3244.5-1989
Métodos de medición para el grado de compensación de materias de arseniuro de galio y fosfuro de indio (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 3244.5-1989

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1989

Organización

Professional Standard - Electron

Ultima versión

SJ 3244.5-1989

Alcance

Esta norma es aplicable a monocristales de arseniuro de galio y fosfuro de indio de tipo N y tipo P y a capas epitaxiales de sustrato de alta resistencia. La concentración del portador es 1×10^(12)~5×10^(15)cm^(- 3) Probar y analizar el grado de compensación de una variedad de materiales semiconductores. En principio, también es adecuado para probar y analizar el grado de compensación de otros materiales compuestos III-V.

SJ 3244.5-1989 Historia

• 1989 SJ 3244.5-1989 Métodos de medición para el grado de compensación de materias de arseniuro de galio y fosfuro de indio