SJ 20188-1992
Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio para los tipos 2CWl3016～3051 (Versión en inglés)
- Estándar No.
- SJ 20188-1992
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1992
- Organización
- Professional Standard - Electron
- Ultima versión
- SJ 20188-1992
SJ 20188-1992 Historia
- 1992 SJ 20188-1992 Dispositivo semiconductor discreto: especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio para los tipos 2CWl3016～3051
Temas especiales sobre estándares y normas
estándares y especificaciones
SJ 20274-1993 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para diodo de conmutación de silicio para tipo 2CK84
BS 9300 C405-429:1971 Especificaciones detalladas para diodos reguladores de voltaje de silicio
BS 9300 C780-831:1971 Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio
BS 9300 C841-849:1971 Especificación detallada para diodos reguladores de voltaje de silicio
MIL MIL-PRF-19500/114J-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje, paquete de orificio pasante para montaje en caja, polaridad estándar e inversa, tipos 1N2804
MIL MIL-PRF-19500/114H-2011 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje, paquete de orificio pasante para montaje en caja, polaridad estándar e inversa, tipos 1N2804
SJ 2747-1987 Especificación detallada en blanco para diodos de recuperación de función escalonada
MIL MIL-PRF-19500/356L-2014 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje, tipos 1N4954 a 1N4996, 1N5968, 1N5969 y 1N6632 a 1N6637, 1N4954US a 1N4996US, 1N5968US
SJ 2850-1988 Especificaciones generales para base, tapa y estructura de conductores de dispositivos semiconductores discretos