1.1 Este método de prueba cubre la selección del sitio de prueba y los procedimientos de reducción de datos para la variación radial de la concentración de oxígeno intersticial en rebanadas de silicio típicamente utilizadas en la fabricación de dispositivos semiconductores microelectrónicos. 1.2 Este método de prueba está pensado como prueba de referencia y de producción mediante la selección de un plan de posición de prueba apropiado.1.3 El contenido de oxígeno intersticial puede medirse de acuerdo con los métodos de prueba F 1188 o F 1619, DIN 50438/1, JEIDA 61 o cualquier otro procedimiento acordado por las partes de la prueba. Nota 18212;El método de prueba F 1366 no se basa en la medición de la absorción infrarroja y mide el contenido total de oxígeno, no el contenido de oxígeno intersticial. También es una técnica destructiva. Sin embargo, se puede utilizar para determinar la variación radial del contenido de oxígeno si se realizan modificaciones adecuadas del procedimiento de prueba. 1.4 El espesor y el acabado superficial aceptables para las muestras de prueba se especifican en los métodos de prueba aplicables. Este método de prueba es adecuado para su uso en obleas o rebanadas de silicio grabadas químicamente, pulidas por una cara y pulidas por las dos caras, sin defectos superficiales que puedan cambiar negativamente la transmisión de radiación infrarroja a través de la muestra de prueba (posteriormente llamada rebanada), siempre que se utilicen métodos de prueba apropiados. para el contenido de oxígeno.1.5 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.