GJB 33A/13-2003
Especificaciones detalladas del diodo de conmutación de alta corriente de silicio tipo dispositivo discreto semiconductor 2CK37 (Versión en inglés)

Estándar No.

GJB 33A/13-2003

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2003

Organización

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department

Estado

ser reemplazado 2022-03

Remplazado por

GJB 33/13A-2021

Ultima versión

GJB 33/13A-2021

GJB 33A/13-2003 Historia

• 2021 GJB 33/13A-2021 Especificaciones detalladas del diodo de conmutación de alta corriente de silicio tipo dispositivo discreto semiconductor 2CK37
• 2003 GJB 33A/13-2003 Especificaciones detalladas del diodo de conmutación de alta corriente de silicio tipo dispositivo discreto semiconductor 2CK37