MIL MIL-PRF-19500/435M-2014
Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J...

Estándar No.: MIL MIL-PRF-19500/435M-2014
Fecha de publicación: 2014
Organización: Military Standards (MIL-STD)
Estado: ser reemplazado
Remplazado por: MIL MIL-PRF-19500/435N-2016
Ultima versión: MIL MIL-PRF-19500/435R-2020

Alcance: Esta especificación cubre los requisitos de rendimiento para diodos reguladores de voltaje de silicio, de bajo ruido y 500 milivatios con tolerancias de voltaje del 5 por ciento, 2 por ciento y 1 por ciento. Se proporcionan cuatro niveles de garantía de producto (JAN, JANTX, JANTXV y JANS) para cada dispositivo encapsulado. Se proporcionan dos niveles de garantía de producto (JANHC y JANKC) para cada dispositivo no encapsulado (troquel). Para los niveles de calidad de JANHC y JANKC, consulte 6.6.2.

MIL MIL-PRF-19500/435M-2014 Historia

2020 MIL MIL-PRF-19500/435R-2020 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J...
2018 MIL MIL-PRF-19500/435P-2018 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J...
2016 MIL MIL-PRF-19500/435N-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J...
2014 MIL MIL-PRF-19500/435M-2014 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J...
2012 MIL MIL-PRF-19500/435L-2012 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J...
2011 MIL MIL-PRF-19500/435K-2011 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J...
2008 MIL MIL-PRF-19500/435J-2008 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, tipos 1N4099-1 a 1N4135-1, 1N4614-1 a 1N4627-1, 1N4099UR-1 a 1N4135UR-1, 1N4614UR-1 a 1N4627UR-1, Plus C y D Dispositivos de sufijo de tolerancia, JAN, JANTX, JANTXV, JANS...
2007 MIL MIL-PRF-19500/435H-2007 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, REGULADOR DE TENSIÓN DE BAJO RUIDO, TIPOS 1N4099-1 HASTA 1N4135-1, 1N4614-1 HASTA 1N4627-1, 1N4099UR-1 HASTA 1N4135UR-1, 1N4614UR-1 HASTA 1N46 27UR-1, MÁS C Y D DISPOSITIVOS SUFIJO DE TOLERANCIA, JAN, JANTX, JANTXV, JANS...
2005 MIL MIL-PRF-19500/435G-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, REGULADOR DE TENSIÓN DE BAJO RUIDO, TIPOS 1N4099-1 HASTA 1N4135-1, 1N4614-1 HASTA 1N4627-1, 1N4099UR-1 HASTA 1N4135UR-1, 1N4614UR-1 HASTA 1N46 27UR-1, MÁS C Y D DISPOSITIVOS SUFIJO DE TOLERANCIA, JAN, JANTX, JANTXV, JANS...
2004 MIL MIL-PRF-19500/435F-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, REGULADOR DE TENSIÓN DE BAJO RUIDO, TIPOS 1N4099-1 HASTA 1N4135-1, 1N4614-1 HASTA 1N4627-1, 1N4099UR-1 HASTA 1N4135UR-1, 1N4614UR-1 HASTA 1N46 27UR-1, MÁS C Y D DISPOSITIVOS SUFIJO DE TOLERANCIA, JAN, JANTX, JANTXV, JANS...
2000 MIL MIL-PRF-19500/435E-2000 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, TIPOS DE REGULADORES DE TENSIÓN DE BAJO RUIDO, 1N-1N4135-1,1N4614-1-1N4627-1,1N4099UR-1N4135UR-1,1N4614UR-1-1N4627UR-1, MÁS DISPOSITIVOS DE SUFIJO DE TOLERANCIA C Y D, JAN, JANTX, JANTXV, JANJ, JANS (SUPERDIENDO A MIL-S-19500/435D) (S/S POR MIL-P...

estándares y especificaciones

MIL MIL-PRF-19500/435L-2012 semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J... MIL MIL-PRF-19500/435P-2018 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J... MIL MIL-PRF-19500/435R-2020 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J... MIL MIL-PRF-19500/435K-2011 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J... MIL MIL-PRF-19500/435N-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial) y no encapsulado (matriz), tipos 1N4099 a 1N4135, 1N4614 a 1N4627, dispositivos con sufijo de tolerancia C y D, JAN , J...