IEC 63068-2:2019
Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia. Parte 2: Método de prueba para detectar defectos mediante inspección óptica.
- Estándar No.
- IEC 63068-2:2019
- Fecha de publicación
- 2019
- Organización
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- Ultima versión
- IEC 63068-2:2019
- Alcance
- Esta parte de IEC 63068 proporciona definiciones y orientación en el uso de la inspección óptica para detectar defectos en crecimiento en obleas epitaxiales de 4H-SiC (carburo de silicio) disponibles comercialmente. Además, este documento ejemplifica imágenes ópticas para permitir la detección y categorización de los defectos para Obleas homoepitaxiales de SiC. Este documento trata de un método de prueba no destructivo para los defectos, por lo que los métodos destructivos como el grabado preferencial están fuera del alcance de este documento.
IEC 63068-2:2019 Historia
- 2019 IEC 63068-2:2019 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia. Parte 2: Método de prueba para detectar defectos mediante inspección óptica.
