Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department
Ultima versión
GJB 33/2A-2021
GJB 33/2A-2021 Historia
2021GJB 33/2A-2021 Especificación detallada del transistor de potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DD3767
1987GJB 33/2-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3767