DIN 50450-9:2021
Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes - Parte 9: Determinación de oxígeno, nitrógeno, monóxido de carbono, dióxido de carbono, hidrógeno y C<(Index)1> 　——C<(Index)3> 　——hidrocarburos. ..

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2021

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SCC

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DIN 50450-9:2021 Historia

• 1970 DIN 50450-9:2021-07 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes. Parte 9: Determinación de oxígeno, nitrógeno, monóxido de carbono, dióxido de carbono, hidrógeno e hidrocarburos CC en hidróxido gaseoso.
• 2021 DIN 50450-9:2021 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes - Parte 9: Determinación de oxígeno, nitrógeno, monóxido de carbono, dióxido de carbono, hidrógeno y C<(Index)1> 　——C<(Index)3> 　——hidrocarburos. ..
• 1970 DIN 50450-9 E:2020-11 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de impurezas en gases portadores y dopantes. Parte 9: Determinación de oxígeno, nitrógeno, monóxido de carbono, dióxido de carbono, hidrógeno y carbono CC.
• 2020 DIN 50450-9 E:2020 Borrador de documento - Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes - Parte 9: Determinación de oxígeno, nitrógeno, monóxido de carbono, dióxido de carbono, hidrógeno y C<(Index)1> 　——C<(Index)3&. ..
• 2003 DIN 50450-9:2003 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes. Parte 9: Determinación de oxígeno, nitrógeno, monóxido de carbono, dióxido de carbono, hidrógeno e hidrocarburos CC en hidróxido gaseoso.
• 0000 DIN 50450-9:2002