IEC 62047-25:2016 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 25: Tecnología de fabricación MEMS basada en silicio - Método de medición de la resistencia a la tracción y al corte del área de microunión normas y especificaciones

Alcance: Esta parte de IEC 62047 especifica el método de prueba in situ para medir la fuerza de unión del área de microunión que se fabrica mediante tecnologías de micromecanizado utilizadas en sistemas microelectromecánicos basados en silicio (MEMS). Este documento es aplicable a la medición in situ de la resistencia al corte y a la presión de tracción del área de microunión fabricada mediante un proceso de tecnología microelectrónica y otras tecnologías de micromecanizado. El microanclaje@ fijado al sustrato a través del área de microunión@ proporciona soporte mecánico a los componentes funcionales móviles de detección/actuación en dispositivos MEMS. Con el aumento de escala de los dispositivos, la degradación de la fuerza de unión inducida por defectos, contaminaciones y tensiones por desajuste térmico en la superficie de unión se vuelve más severa. Esta norma especifica un método de prueba in situ de la resistencia a la tracción y al corte basado en una técnica modelada. Este documento no necesita instrumentos complejos (como microscopía de sonda de barrido y nanoindentador) ni preparar la muestra de prueba de manera especial. Dado que la estructura de prueba de esta norma se puede implantar en la fabricación de dispositivos como un patrón de detección estándar, este documento puede proporcionar un puente mediante el cual la fundición de fabricación puede brindar alguna referencia cuantitativa para el diseñador.

IEC 62047-25:2016 Historia

2016 IEC 62047-25:2016 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 25: Tecnología de fabricación MEMS basada en silicio - Método de medición de la resistencia a la tracción y al corte del área de microunión