ASTM F996-11(2018)
Método de prueba estándar para separar un cambio de voltaje de umbral de MOSFET inducido por radiación ionizante en componentes debido a orificios atrapados por óxido y estados de interfaz utilizando la corriente subumbral & #x2013;V

Estándar No.

ASTM F996-11(2018)

Fecha de publicación

2018

Organización

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Ultima versión

ASTM F996-11(2018)

Alcance

1.1 Este método de prueba cubre el uso de la técnica de separación de carga subumbral para el análisis de la degradación por radiación ionizante de un dieléctrico de puerta en un transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y un dieléctrico de aislamiento en un MOSFET parásito.2,3,4 La técnica del subumbral se utiliza para separar el cambio de voltaje de inversión inducido por la radiación ionizante, ∆VINV, en cambios de voltaje debido a la carga atrapada de óxido, ∆Vot y trampas de interfaz, ∆V it. Esta técnica utiliza el drenaje previo y posterior a la irradiación para generar características de corriente versus voltaje de puerta en la región subumbral del MOSFET. 1.2 Se proporcionan procedimientos para medir las características de corriente-voltaje subumbral del MOSFET y para el cálculo de los resultados. 1.3 La aplicación de este método de prueba requiere que el MOSFET tenga un contacto con el sustrato (cuerpo). 1.4 Tanto las curvas de drenaje como de fuente subumbral del MOSFET previas y posteriores a la irradiación deben seguir una dependencia exponencial del voltaje de la puerta durante un mínimo de dos décadas de corriente. 1.5 Los valores indicados en unidades SI deben considerarse estándar. No se incluyen otras unidades de medida en esta norma. 1.6 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad, salud y medio ambiente y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. 1.7 Esta norma internacional fue desarrollada de acuerdo con los principios internacionalmente reconocidos sobre estandarización establecidos en la Decisión sobre Principios para el Desarrollo de Normas, Guías y Recomendaciones Internacionales emitida por el Comité de Obstáculos Técnicos al Comercio (OTC) de la Organización Mundial del Comercio.

ASTM F996-11(2018) Documento de referencia

• ASTM E1249 Práctica estándar para minimizar los errores de dosimetría en las pruebas de dureza por radiación de dispositivos electrónicos de silicio que utilizan fuentes de Co-60*， 2021-02-01 Actualizar
• ASTM E1894 Guía estándar para seleccionar sistemas de dosimetría para su aplicación en fuentes de rayos X pulsados
• ASTM E666 Práctica estándar para calcular la dosis absorbida de radiación gamma o X
• ASTM E668 Práctica estándar para la aplicación de sistemas de termoluminiscencia-dosimetría (TLD) para determinar la dosis absorbida en pruebas de dureza por radiación de dispositivos electrónicos*， 2020-07-01 Actualizar

ASTM F996-11(2018) Historia

• 2018 ASTM F996-11(2018) Método de prueba estándar para separar un cambio de voltaje de umbral de MOSFET inducido por radiación ionizante en componentes debido a orificios atrapados por óxido y estados de interfaz utilizando la corriente subumbral & #x2013;V
• 2011 ASTM F996-11 Método de prueba estándar para separar un cambio de voltaje umbral de MOSFET inducido por radiación ionizante en componentes debido a orificios atrapados en óxido y estados de interfaz utilizando las características de voltaje-corriente subumbral
• 2010 ASTM F996-10 Método de prueba estándar para separar un cambio de voltaje umbral de MOSFET inducido por radiación ionizante en componentes debido a orificios atrapados en óxido y estados de interfaz utilizando las características de voltaje-corriente subumbral
• 1998 ASTM F996-98(2003) Método de prueba estándar para separar un cambio de voltaje umbral de MOSFET inducido por radiación ionizante en componentes debido a orificios atrapados en óxido y estados de interfaz utilizando las características de voltaje-corriente subumbral
• 1998 ASTM F996-98 Método de prueba estándar para separar un cambio de voltaje umbral de MOSFET inducido por radiación ionizante en componentes debido a orificios atrapados en óxido y estados de interfaz utilizando las características de voltaje-corriente subumbral