MIL MIL-PRF-19500/713B-2010
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 Y 2N7550U2, JANTXVR, F Y JANSR, F (SUPERDIENTE A MIL-PRF-1950 0/713A)

Estándar No.

MIL MIL-PRF-19500/713B-2010

Fecha de publicación

2010

Organización

Military Standards (MIL-STD)

Estado

ser reemplazado

Remplazado por

MIL MIL-PRF-19500/713C-2013

Ultima versión

MIL MIL-PRF-19500/713F-2018

Alcance

MIL MIL-PRF-19500/713B cubre los requisitos de rendimiento para un transistor de potencia de canal P, modo de mejora, MOSFET, endurecido por radiación (dosis total y efectos de evento único (SEE)). Se proporcionan dos niveles de garantía de producto para cada tipo de dispositivo como se especifica en MIL-PRF-19500, con clasificación máxima de energía de avalancha (EAS) y corriente de avalancha máxima (IAS). Consulte 6.5 para las versiones de matrices JANHC y JANKC.

MIL MIL-PRF-19500/713B-2010 Historia

• 2018 MIL MIL-PRF-19500/713F-2018 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 Y 2N7550U2, JANTXVR, F Y JANSR, F
• 2018 MIL MIL-PRF-19500/713E-2018 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 Y 2N7550U2, JANTXVR, F Y JANSR, F
• 2015 MIL MIL-PRF-19500/713D-2015 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 Y 2N7550U2, JANTXVR, F Y JANSR, F (SUPERDIENTE A MIL-PRF-1950 0/713C)
• 2013 MIL MIL-PRF-19500/713C-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 Y 2N7550U2, JANTXVR, F Y JANSR, F (SUPERDIENTE A MIL-PRF-1950 0/713B)
• 2010 MIL MIL-PRF-19500/713B-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 Y 2N7550U2, JANTXVR, F Y JANSR, F (SUPERDIENTE A MIL-PRF-1950 0/713A)
• 2007 MIL MIL-PRF-19500/713A-2007 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 Y 2N7550U2, JANTXVR, F Y JANSR, F (SUPERDIENTE A MIL-PRF-1950 0/713)
• 2005 MIL MIL-PRF-19500/713-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), CANAL P, SILICIO, TIPOS 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 Y 2N7550U2, JANTXVR, F Y JANSR, F

estándares y especificaciones