GJB 33/8-1988
Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT grado 3DK2369A tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio (Versión en inglés)

Estándar No.

GJB 33/8-1988

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1988

Organización

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department

Estado

ser reemplazado 2022-03

Remplazado por

GJB 33/8A-2021

Ultima versión

GJB 33/8A-2021

GJB 33/8-1988 Historia

• 2021 GJB 33/8A-2021 Dispositivo semiconductor discreto 3DK2369A tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio especificación detallada
• 1988 GJB 33/8-1988 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT grado 3DK2369A tipo NPN transistor de conmutación de baja potencia de silicio