GJB 33/7-1988
Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT grado 3CK2907 tipo PNP transistor de conmutación de baja potencia de silicio (Versión en inglés)

Estándar No.

GJB 33/7-1988

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1988

Organización

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department

Estado

ser reemplazado 2022-03

Remplazado por

GJB 33/7A-2021

Ultima versión

GJB 33/7A-2021

GJB 33/7-1988 Historia

• 2021 GJB 33/7A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, transistores de conmutación de baja potencia de silicio PNP tipo 3CK2904, 3CK2905, 3CK2906 y 3CK2907
• 1988 GJB 33/7-1988 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos GP, GT y GCT grado 3CK2907 tipo PNP transistor de conmutación de baja potencia de silicio