GJB 33/002-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de alta potencia y baja frecuencia para dispositivos semiconductores discretos (Versión en inglés)
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department
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GJB 33/002-1989
GJB 33/002-1989 Historia
1989GJB 33/002-1989 Especificación detallada en blanco para transistores de alta potencia y baja frecuencia para dispositivos semiconductores discretos