GJB 33A/12-2003
Dispositivo semiconductor discreto 2CK36 tipo diodo de conmutación de alta corriente de silicio especificaciones detalladas (Versión en inglés)

Estándar No.

GJB 33A/12-2003

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2003

Organización

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department

Estado

ser reemplazado 2022-03

Remplazado por

GJB 33/12A-2021

Ultima versión

GJB 33/12A-2021

GJB 33A/12-2003 Historia

• 2021 GJB 33/12A-2021 Dispositivo semiconductor discreto 2CK36 tipo diodo de conmutación de alta corriente de silicio especificaciones detalladas
• 2003 GJB 33A/12-2003 Dispositivo semiconductor discreto 2CK36 tipo diodo de conmutación de alta corriente de silicio especificaciones detalladas