SJ/T 1831-2016
Especificación detallada del transistor de conmutación de baja potencia de silicio NPN tipo 3DK28 del dispositivo semiconductor discreto (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ/T 1831-2016

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2016

Organización

工业和信息化部

Ultima versión

SJ/T 1831-2016

Reemplazar

SJ/T 1831-1981

SJ/T 1831-2016 Historia

• 2016 SJ/T 1831-2016 Especificación detallada del transistor de conmutación de baja potencia de silicio NPN tipo 3DK28 del dispositivo semiconductor discreto
• 0000 SJ/T 1831-1981