GJB 33/5-1987
Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para reactores rectificadores de alto voltaje de silicio GP y GT de grado 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K y 2CL150K (Versión en inglés)

Estándar No.

GJB 33/5-1987

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1987

Organización

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department

Estado

ser reemplazado 2022-03

Remplazado por

GJB 33/5A-2021

Ultima versión

GJB 33/5A-2021

GJB 33/5-1987 Historia

• 2021 GJB 33/5A-2021 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos, pilas de rectificadores de alto voltaje de silicio 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K y 2CL150K
• 1987 GJB 33/5-1987 Especificaciones detalladas para dispositivos semiconductores discretos Especificaciones detalladas para reactores rectificadores de alto voltaje de silicio GP y GT de grado 2CL59K, 2CL60K, 2CL80K y 2CL150K