GJB 33/1-1987
Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3716 (Versión en inglés)

Estándar No.

GJB 33/1-1987

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1987

Organización

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department

Estado

ser reemplazado 2022-03

Remplazado por

GJB 33/1A-2021

Ultima versión

GJB 33/1A-2021

GJB 33/1-1987 Historia

• 2021 GJB 33/1A-2021 Especificación detallada del transistor de potencia de silicio NPN tipo dispositivo semiconductor discreto 3DD3716
• 1987 GJB 33/1-1987 Especificación detallada para dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para transistores de potencia de silicio NPN tipo GP, GT y GCT de grado 3DD3716