ASTM F618-79e1 normas y especificaciones

Alcance: 1.1 Este método cubre la medición de voltaje umbral saturado MOSFET (ver Nota I) en condiciones de CC o velocidad de barrido muy baja. II es un método de conductancia de CC aplicable en la región saturada del funcionamiento de MOSFET donde es típico un voltaje de drenaje Vo de aproximadamente 10 V. Para la medición del voltaje umbral lineal, consulte el Método F 617. NOTA 1 -MOS es un acrónimo de semiconductor de óxido metálico; FET es un acrónimo de transistor de efecto de campo. NOTA 2: Las mediciones tomadas a un voltaje de drenaje tal que el MOSFET esté en la región de torsión para algunos valores de voltaje de compuerta pero no para otros producirán un umbral de voltaje diferente del valor obtenido para el MOSFET en saturación. 1.2 El método es aplicable a MOSFET tanto en modo de mejora como en modo de agotamiento, y tanto para MOSFET de silicio sobre zafiro (SOS) como de silicio en masa. El método especifica voltaje y corriente positivos, convenciones específicamente aplicables a los MOSFET de canal de toneladas. La sustitución de voltaje negativo y corriente negativa hace que el método sea directamente aplicable a los MOSFET de canal superior.

ASTM F618-79e1 Historia