IEC 62047-45:2025 PRV
Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 45: Tecnología de fabricación de MEMS basados en silicio - Método de medición de la resistencia al impacto de nanoestructuras

Estándar No.

IEC 62047-45:2025 PRV

Fecha de publicación

2025

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Ultima versión

IEC 62047-45:2025 PRV

Alcance

Esta parte de la norma IEC 62047 especifica los requisitos y el método de ensayo para medir la resistencia al impacto de nanoestructuras fabricadas mediante tecnología de micromaquinado en sistemas microelectromecánicos (MEMS) basados en silicio. Este documento es aplicable a la medición in situ de la resistencia al impacto de nanoestructuras fabricadas mediante procesos de tecnología microelectrónica y otras tecnologías de micromaquinado. En la producción de dispositivos MEMS, debido al tamaño micro/nano, el efecto no ideal de la fabricación se amplifica considerablemente en comparación con la macroescala. Pueden producirse defectos superficiales, pérdida de ancho de línea y tensión residual en el objeto fabricado, lo que resulta en fluctuaciones significativas en la resistencia mecánica de los dispositivos MEMS. Este documento especifica un método de medición in situ para la resistencia al impacto de nanoestructuras basadas en tecnología MEMS para extraer la resistencia al impacto de las estructuras fabricadas reales. Este método de ensayo no requiere instrumentos complejos (como microscopios de sonda de barrido y nanoindentadores) ni muestras de ensayo especiales. Dado que el comprobador en chip in situ de este documento se puede implantar en la fabricación del dispositivo como un patrón de detección estándar, este documento puede proporcionar un puente mediante el cual la parte de fabricación puede dar alguna referencia cuantitativa para la parte de diseño.

IEC 62047-45:2025 PRV Historia

• 0000 IEC 62047-45:2025 PRV

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