GJB 3930-2000
Especificaciones generales para diodos emisores de infrarrojos. (Versión en inglés)

Estándar No.
GJB 3930-2000
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2000
Organización
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department
Ultima versión
GJB 3930-2000
 

GJB 3930-2000 Historia

  • 2000 GJB 3930-2000 Especificaciones generales para diodos emisores de infrarrojos.

Temas especiales sobre estándares y normas

tubo de radiación infrarroja tubo de radiación infrarroja Prueba de emisividad infrarroja emisividad de reflexión infrarroja ftir Medición de emisividad infrarroja Productos de emisividad infrarroja

estándares y especificaciones

DIN EN 120002:1997 Especificación detallada en blanco: diodos emisores de infrarrojos, conjuntos de diodos emisores de infrarrojos; Versión alemana EN 120002:1992 GOST 24352-1980 Fotoemisores semiconductores. Parámetros principales GOST 19834.5-1980 Semiconductor que emite diodos infrarrojos. Método para medir los tiempos de conmutación de los impulsos de radiación GOST 23448-1979 Diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Dimensiones básicas GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401 CNS 13782-1996 Diodos emisores de infrarrojos con confiabilidad garantizada (IRED) (para automatización GOST 19834.4-1979 Diodos semiconductores radiantes de infrarrojos. Métodos de medición de la potencia de radiación GOST R 70998-2023 Láseres de inyección, cabezales láser, matrices de diodos láser, diodos láser. Sistema de parámetros BS 9370:1983 Especificación para la aprobación de capacidad de conjuntos de diodos emisores de luz e infrarrojos de calidad evaluada: datos genéricos y métodos de prueba


© 2025 Reservados todos los derechos.