Esta especificación cubre los requisitos de rendimiento para un transistor de potencia de canal N, modo de mejora, MOSFET, endurecido por radiación (dosis total y efectos de evento único (SEE)). Se proporcionan dos niveles de garantía de producto para cada tipo de dispositivo, según lo especificado en MIL-PRF-19500. Se proporcionan disposiciones para garantizar la dureza de la radiación (RHA) hasta cinco niveles de radiación ("M", "D", "P", "L", "R") para los niveles de garantía de productos JANTXV y JANS.
MIL MIL-PRF-19500/692B-2015 Historia
2015MIL MIL-PRF-19500/692B-2015 Transistor, efecto de campo, canal N, silicio, tipos 2N7515, 2N7516 y 2N7517, JANTXV y JANS
2004MIL MIL-PRF-19500/692A-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO ENDURECIDO POR RADIATINA (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, SILICIO DE CANAL N, TIPOS 2N7515, 2N7516 Y 2N7517, JANTXVD, R Y JANSR, R (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/692)
2001MIL MIL-PRF-19500/692-2001 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTORES CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7515, 2N7516 Y 2N7517 JANTXVD, R Y JANSD, R (S/S POR MIL-PRF-19500/692A)