MIL MIL-PRF-19500/684A-2003
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TIPOS 2N7472U2, 2N7473U2 Y 2N7474U2 JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/684)

Estándar No.

MIL MIL-PRF-19500/684A-2003

Fecha de publicación

2003

Organización

Military Standards (MIL-STD)

Estado

ser reemplazado

Remplazado por

MIL MIL-PRF-19500/684B-2004

Ultima versión

MIL MIL-PRF-19500/684H-2016

Alcance

MIL-PRF-19500/684A cubre los requisitos de rendimiento para un transistor MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N con dosis total endurecida por radiación y clasificaciones de efectos de evento único (SEE), con clasificación máxima de energía de avalancha (EAS) y corriente de avalancha máxima ( NIC). Se proporcionan dos niveles de garantía de producto para cada tipo de dispositivo, según lo especificado en MIL-PRF-19500.

MIL MIL-PRF-19500/684A-2003 Historia

• 2016 MIL MIL-PRF-19500/684H-2016 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2, 2N7473U2 Y 2N7474U2, JANTXVR Y JANSR
• 2016 MIL MIL-PRF-19500/684G-2016 Transistor, efecto de campo, silicio, canal N, endurecido por radiación, encapsulado (paquetes de placa portadora y montaje en superficie), tipos 2N7472, 2N7473 y 2N7474, JANTXVR y JANSR
• 2016 MIL MIL-PRF-19500/684F-2016 Transistor, efecto de campo, silicio, canal N, endurecido por radiación, encapsulado (paquetes de placa portadora y montaje en superficie), tipos 2N7472, 2N7473 y 2N7474, JANTXVR y JANSR
• 2010 MIL MIL-PRF-19500/684E-2010 Transistor, efecto de campo, silicio, canal N, endurecido por radiación, encapsulado (paquetes de placa portadora y montaje en superficie), tipos 2N7472, 2N7473 y 2N7474, JANTXVR y JANSR
• 2007 MIL MIL-PRF-19500/684D-2007 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2, 2N7473U2 Y 2N7474U2, JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/684C)
• 2006 MIL MIL-PRF-19500/684C-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2, 2N7473U2 Y 2N7474U2, JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/684B)
• 2004 MIL MIL-PRF-19500/684B-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2, 2N7473U2 Y 2N7474U2, JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/684A)
• 2003 MIL MIL-PRF-19500/684A-2003 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TIPOS 2N7472U2, 2N7473U2 Y 2N7474U2 JANTXVR Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/684)
• 2000 MIL MIL-PRF-19500/684-2000 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TIPOS 2N7472U2, 2N7473U2 Y 2N7474U2 JANTXVR Y JANSR

estándares y especificaciones