MIL MIL-PRF-19500/478L-2017
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, RECTIFICADOR DE POTENCIA, TIPOS DE RECUPERACIÓN RÁPIDA 1N5812, 1N5814, 1N5816 Y VERSIONES R JAN, JANTX, JANTXV, JANHC, JANKC Y JANS (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/478K)

Estándar No.
MIL MIL-PRF-19500/478L-2017
Fecha de publicación
2017
Organización
Military Standards (MIL-STD)
Ultima versión
MIL MIL-PRF-19500/478L-2017
 

Alcance
MIL-PRF-19500/478L cubre los requisitos de rendimiento para diodos rectificadores de potencia de recuperación rápida de silicio. Se proporcionan cuatro niveles de garantía de producto (JAN, JANTX, JANTXV y JANS) para cada tipo de dispositivo, como se especifica en MIL-PRF-19500. Se proporcionan dos garantías de producto, JANHC y JANKC, para dispositivos no encapsulados.

MIL MIL-PRF-19500/478L-2017 Historia

  • 2017 MIL MIL-PRF-19500/478L-2017 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, RECTIFICADOR DE POTENCIA, TIPOS DE RECUPERACIÓN RÁPIDA 1N5812, 1N5814, 1N5816 Y VERSIONES R JAN, JANTX, JANTXV, JANHC, JANKC Y JANS (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/478K)
  • 2008 MIL MIL-PRF-19500/478H-2008 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, rectificador de potencia, recuperación rápida, tipos 1N5812, 1N5814, 1N5816 y versiones R, JAN, JANTX, JANTXV, JANHC, JANKC y JANS
  • 1997 MIL MIL-PRF-19500/478G-1997 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, RECTIFICADOR DE POTENCIA, TIPOS DE RECUPERACIÓN RÁPIDA 1N5812, 1N5814, 1N5816 Y VERSIONES R JAN, JANTX, JANTXV, JANHC, JANKC Y JANS (SUPERDIENDO A MIL-S-19500/478F)

estándares y especificaciones

MIL MIL-PRF-19500/477M-2019 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, recuperación ultrarrápida, rectificador de potencia, tipos 1N5802, 1N5804, 1N5806, 1N5807, 1N5809 y 1N5811, JAN MIL MIL-PRF-19500/656C-2020 Diodo, silicio, Schottky, rectificador de potencia, derivación central de cátodo común o ánodo común, tipos 1N6785 y 1N6785R, JAN, JANTX, JANTXV y JANS MIL MIL-PRF-19500/477K-2012 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, recuperación ultrarrápida, rectificador de potencia, tipos 1N5802, 1N5804, 1N5806, 1N5807, 1N5809 y 1N5811, JAN MIL MIL-PRF-19500/477L-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, recuperación ultrarrápida, rectificador de potencia, tipos 1N5802, 1N5804, 1N5806, 1N5807, 1N5809 y 1N5811, JAN MIL MIL-PRF-19500/656B-2015 Diodo, silicio, Schottky, rectificador de potencia, derivación central de cátodo común o ánodo común, tipos 1N6785 y 1N6785R, JAN, JANTX, JANTXV y JANS MIL MIL-PRF-19500/534J-2019 Dispositivo semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Potencia, Tipos 2N5002 y 2N5004, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG MIL MIL-PRF-19500/463L-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de corriente, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante) y no encapsulado (DIE MIL MIL-PRF-19500/463K-2014 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de corriente, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante) y no encapsulado (DIE MIL MIL-PRF-19500/463J-2012 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de corriente, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante) y no encapsulado (DIE



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