SEMI MF673-0317(R0622)-2022
MÉTODO DE ENSAYO PARA MEDIR LA RESISTIVIDAD DE LUNAS SEMICONDUCTORES O LA RESISTENCIA DE HOJA DE PELÍCULAS SEMICONDUCTORES CON UN CALIBRE NO CONTACTO DE CORRIENTES DE EDDY

Alcance: Este método de ensayo abarca la medición no destructiva de la resistividad volumétrica de obleas de silicio y de arsenuro de galio específicas en su punto central, así como de la resistencia en hoja de películas de silicio o de arsenuro de galio (depositadas sobre sustratos de área limitada), utilizando un instrumento de corrientes parasitas no de contacto. Es aplicable a materiales volumétricos de arsenuro de galio epitaxial conductor, y a obleas monocristalinas o policristalinas de silicio, así como a películas de silicio o de arsenuro de galio depositadas sobre sustratos de alta resistividad. Los especímenes de ensayo deberán presentar una dimensión de borde no inferior a 25 mm, un espesor comprendido entre 0,1 mm y 1,0 mm, una resistividad volumétrica entre 0,001 Ω·cm y 200 Ω·cm, y una resistencia en hoja de películas entre 2 Ω/□ y 3000 Ω/□. Este método no requiere preparación de muestras ni se ve afectado por el acabado superficial, aunque debe tenerse en cuenta la influencia de la temperatura, la humedad y las interferencias ambientales.

SEMI MF673-0317(R0622)-2022 Documento de referencia

ASTM E2251 Especificación estándar para termómetros ASTM de líquido en vidrio con líquidos de precisión de bajo riesgo
ASTM E691 Práctica estándar para realizar un estudio entre laboratorios para determinar la precisión de un método de prueba
SEMI MF374 MÉTODO DE ENSAYO PARA LA RESISTENCIA DE LÁMINA DE CAPAS EPITAXIALES, DIFUSAS, DE POLISILOCONIO E IMPLANTADAS CON IONES DE SILICIO MEDIANTE UNA SONDA DE CUATRO PUNTOS EN LÍNEA CON EL PROCEDIMIENTO DE CONFIGURACIÓN ÚNICA